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MEE4294-G
N沟道 耐压:100V 电流:11.3A
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- 描述
- MEE4294-G是采用高单元密度EMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如AC/DC适配器或PC电源的同步整流，在这类应用中，需要在超小外形的表面贴装封装中进行负载开关操作并降低线路功率损耗
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- MEE4294-G
- 商品编号
- C2693573
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
WST2304是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2304符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 在 Vgs = 10 V 时,RDS(ON) ≤ 12 mΩ
- 在 VGS = 4.5 V 时,RDS(ON) ≤ 15.5 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理
- 同步整流
- 负载开关
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