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ME3205T
1个N沟道 耐压:60V 电流:105A
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- 描述
- ME3205T 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME3205T
- 商品编号
- C2693567
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 2.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.793nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 193pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 20V/12A
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅产品（符合 RoHS 标准）
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统
- DC - DC 转换器
- 负载开关