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ME4548-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.1A
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- 描述
- ME4548 是 N+P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4548-G
- 商品编号
- C2693569
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 209pF |
商品特性
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流参数全面表征
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性好
- 散热性能良好的优质封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源