1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V
- 1+: ¥1.3476 / 个
- 10+: ¥1.0956 / 个
- 30+: ¥0.9876 / 个
- 100+: ¥0.8528 / 个
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¥1.0956 / 个 |
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¥0.9876 / 个 |
100+: |
¥0.8528 / 个 |
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商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
功率(Pd) | 2W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,8.1A;25mΩ@10V,7.1A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@10V;38nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |