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ME4548-G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8.1A
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- 描述
- ME4548 是 N+P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4548-G
- 商品编号
- C2693569
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 209pF |
商品特性
- 在VGS = 10V(N沟道)时,RDS(ON) ≤ 20 mΩ
- 在Vgs = 4.5V(N沟道)时,RDS(ON) ≤ 28 mΩ
- 在VGS = -10V(P沟道)时,RDS(ON) ≤ 25 mΩ
- 在VGS = -4.5V(P沟道)时,RDS(ON) ≤ 40 mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关-LCD显示器逆变器