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ME6980ED
双N沟道,电流:7.3A,耐压:20V
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- 描述
- 采用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用非常小的外形表面贴装封装。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME6980ED
- 商品编号
- C2693570
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 365pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 123pF |
商品概述
CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS P6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。所提供的器件在不牺牲易用性的同时，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。
商品特性
- 增强了MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
- 极高的换向鲁棒性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 符合JEDEC（J - STD20和JESD22）工业级应用标准
应用领域
- 用于如PC主机、适配器、LCD与PDP电视、照明、服务器、电信和UPS等的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。