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ME7114S-G
N沟道,电流:18.4A,耐压:30V
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- 描述
- 采用高单元密度 DMOS 沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理，以及其他需要低侧开关和低在线功率损耗的电池供电电路，采用非常小的外形表面贴装封装。
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME7114S-G
- 商品编号
- C2693571
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
ME4413D是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在超小外形的表面贴装封装中实现低线路功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) ≤13mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) ≤17mΩ
- 在VGS = -1.8V时，RDS(ON) ≤26mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- ESD保护
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统