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JS65R170WM
N沟道,电流:20A,耐压:650V
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- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JS65R170WM
- 商品编号
- C2693258
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.665nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss(典型值 1.0 pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 增强的 dv/dt 能力
- RoHS 产品
- 超结 MOS
- 低栅极电荷
- 低 Crss(典型值 1.0 pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 增强的 dv/dt 能力
- RoHS 产品
- 超结 MOSFET
应用领域
-高频开关电源-电子镇流器-LED 电源-高频开关电源-电子镇流器-LED 电源