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JCS640C
N沟道增强型场效应晶体管,电流:18.0A,耐压:200V
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- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS640C
- 商品编号
- C2693280
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.76nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 245pF |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列的一部分。与上一代 MDmesh 产品相比，DM6 结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），每单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)）有显著改善，并且具备市场上针对最严苛的高效桥拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器应用最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，每单位面积的导通状态漏源电阻（RDS(on)）更低
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用