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JCS740C
耐压:400V 电流:10A
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- 描述
- 耐压:400V 电流:10A
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS740C
- 商品编号
- C2693282
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 809pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体公司基于先进的平面条纹和 DMOS 技术推出的一款高电压 MOSFET 系列产品。这一先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的通态电阻，并且具备出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 能够承受超过 2 千伏的高浪涌应力。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 2.1 Ω（典型值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 1.25
- 低栅极电荷（典型值6.2 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值2.5 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 改善的ESD能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 不间断电源