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JCS4N60FC
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS4N60FC
- 商品编号
- C2693262
- 商品封装
- TO-220MF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与上一代MDmesh快速恢复二极管相比，DM6结合了极低的恢复电荷（Qrr）、恢复时间（trr），并在单位面积导通状态漏源电阻（RDS(on)）方面有显著改善，同时具备市场上针对要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器最有效的开关性能之一。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，单位面积导通状态漏源电阻（RDS(on)）更低
- 栅极电荷、输入电容和电阻低
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用