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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 235.2pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss(典型值 8.6pF)
- 开关速度快
- 100% 雪崩测试
- 高抗 dv/dt 能力
- RoHS 产品
应用领域
-开关模式电源-电子镇流器