温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JCS8N60FC
N沟道,电流:7.0A,耐压:600V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS8N60FC
- 商品编号
- C2693268
- 商品封装
- TO-220MF
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
UniFETTM MOSFET 是安森美半导体基于平面条纹和 DMOS 技术的高电压 MOSFET 系列产品。该 MOSFET 旨在降低导通电阻，并提供更出色的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFET FRFET® MOSFET 的衬底二极管反向恢复性能通过寿命控制得到了提升。其 trr 小于 100 纳秒，反向 dv/dt 抗扰度为 15V/纳秒，而普通平面 MOSFET 则分别为超过 200 纳秒和 4.5V/纳秒。因此，在某些 MOSFET 衬底二极管性能至关重要的应用中，它可以减少额外组件并提高系统可靠性。该器件系列适用于诸如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 和电子灯镇流器等开关电源转换应用。
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(on) = 1.25 Ω（典型值），条件为栅源电压VGS = 10 V，漏极电流ID = 1.75
- 低栅极电荷（典型值11 nC）
- 低反向传输电容Crss（典型值5 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改进的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED/PDP电视
- 照明
- 不间断电源
- 交流 - 直流电源