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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 780mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.41nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 229pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容(典型值 23pF)
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
- 符合 RoHS 标准的产品
应用领域
-High-FREQUENCY switching POWER supplies-electronic ballasts-LED POWER supplies-高效开关模式电源-基于半桥的电子镇流器-LED 电源