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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HG24C16N

宽电压操作、两线串行接口的EEPROM

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描述
HG24C02 / HG24C04 / HG24C08 / HG24C16提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为256/512/1024/2048个字,每个字8位。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。HG24C02 / HG24C04 / HG24C08 / HG24C16采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP和8引脚TSSOP封装,可通过两线串行接口访问
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
HG24C16N
商品编号
C2688461
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.814克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量16Kbit
时钟频率(fc)1MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
属性参数值
功能特性硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压1.8V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流3mA
待机电流2uA
读取访问时间(tA)900ns

商品概述

HG24C02、HG24C04、HG24C08、HG24C16 提供了 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦可编程只读存储器,组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对低功耗和低电压操作至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件采用节省空间的 8引脚 DIP、8引脚 SOP、8引脚 MSOP 和 5引脚 SOT23 封装,并通过两线串行接口进行访问。

商品特性

  • 宽电压工作范围:VCC = 1.7V 至 5.5V
  • 工作环境温度:-40°C 至 +85°C
  • 内部组织:HG24C02 为 256 × 8 (2K 位);HG24C04 为 512 × 8 (4K 位);HG24C08 为 1024 × 8 (8K 位);HG24C16 为 2048 × 8 (16K 位)
  • 两线串行接口
  • 施密特触发器,滤波输入以抑制噪声
  • 双向数据传输协议
  • 兼容 1 MHz (5V) 和 400 kHz (1.8V、2.5V、2.7V)
  • 写保护引脚用于硬件数据保护
  • 8字节页 (2K) 和 16字节页 (4K、8K、16K) 写入模式
  • 允许部分页写入
  • 自定时写入周期(最大 5 ms)
  • 高可靠性:耐久性达 100 万次写入周期;数据保存期达 100 年
  • 晶圆销售形式:晶圆形式、华夫盘包装

数据手册PDF