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HG24C32M/TR
EEPROM存储器
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- 描述
- HG24C32 / HG24C64 提供 32,768 / 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 4096 / 8192 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。HG24C32 / HG24C64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 TSSOP 封装，可通过两线串行接口访问
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG24C32M/TR
- 商品编号
- C2688467
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 32Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 硬件写保护功能；噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 0.8mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 读取访问时间(tA) | 3.45us；0.9us；0.55us |
商品概述
HG24C32是一款与I²C兼容的串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。它包含一个32 Kbit（4 Kbyte）的存储阵列，每页组织为32字节。
商品特性
- 单电源电压和高速模式
- 最低工作电压低至1.7V
- 从1.7V到5.5V时，时钟频率为400kHz/1MHz
- 低功耗CMOS技术
- 读取电流0.2mA（400kHz，典型值）
- 写入电流0.8mA（400kHz，典型值）
- 施密特触发器，滤波输入用于噪声抑制
- 顺序和随机读取功能
- 32字节页写入模式，允许部分页写入
- 整个存储阵列的写保护
- 额外的可写锁定页
- 额外的128位序列号
- 自定时写入周期（最长5ms）
- 高可靠性
- 耐久性：100万次写入周期
- 数据保留：100年
- ESD（HBM）：4 kV
- 闩锁能力：±200mA（25°C）
- 封装：DIP8、SOP8、MSOP8、TSSOP8、DFN8、SOT23 - 5