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HG25Q80M/TR
8Mbit SPI NOR闪存
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- 描述
- 是8M-bit串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (/WP) 和I/O3 (/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该设备使用2.7V至3.6V的单低压电源。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID及三个256字节安全寄存器。
- 品牌名称
- HGSEMI(华冠)
- 商品型号
- HG25Q80M/TR
- 商品编号
- C2688462
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.231克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 108MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 5uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 700us | |
| 块擦除时间(tBE) | 200ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | - |
商品概述
HG25Q80 非易失性闪存设备支持标准串行外设接口（SPI）。它支持传统的 SPI 单比特串行输入和输出（单 I/O 或 SIO），以及可选的双比特（双 I/O 或 DIO）串行协议。这种多宽度接口被称为 SPI 多 I/O 或 MIO。SPI 协议仅使用 4 个信号：片选（CS#）、串行时钟（CLK）、串行数据 - IO0（DI）。HG25Q80 支持标准串行外设接口（SPI）和双输出 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（DI）、O1（DO）。支持高达 104MHz 的 SPI 时钟频率，在使用快速读取双输出时，双输出的等效时钟速率可达 208MHz（104MHz × 2）。这些传输速率可优于标准的异步 8 位和 16 位并行闪存。HG25Q80 为空间、信号连接和电源有限的系统提供了理想的存储解决方案。这些存储器的灵活性和性能优于普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、直接执行代码（XIP）和存储。
商品特性
- 低电源操作
- 单 2.7V - 3.6V 电源
- 8M 位串行闪存
- 8M 位/1024K 字节/4096 页
- 每页可编程 256 字节
- 统一的 4K 字节扇区，32K/64K 字节块
- 新型 SpiFlash 存储器系列
- 标准 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#
- 双 SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#
- 自动递增读取功能
- 温度范围
- 工业级（-40°C ~ +125°C）
- 低功耗
- 典型工作电流 6mA
- 典型掉电电流 0.5μA
- 具有 4KB 扇区的灵活架构
- 扇区擦除（4K 字节）
- 块擦除（32K/64K 字节）
- 页面编程最多 256 字节
- 超过 100K 次擦除/编程周期
- 超过 20 年的数据保留期
- 先进的安全特性
- 软件和硬件写保护
- 每个设备具有 64 位唯一 ID
- 高性能编程/擦除速度
- 页面编程时间：典型值 1.2ms
- 扇区擦除时间：典型值 75ms
- 块擦除时间：典型值 0.35s
- 芯片擦除时间：典型值 4s
- 封装选项
- SOP8 - 150mil/208mil
- TSSOP8 - 173mil
- DFN8（4×4）
- 所有无铅封装均符合 RoHS 标准