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TPD60R360MFD
600V,电流:11A,耐压:600V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD60R360MFD
- 商品编号
- C2686296
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.532克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形VDMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。该器件特别适用于半桥和全桥谐振拓扑，如电子灯镇流器、高效开关电源、有源功率因数校正。
商品特性
- 7A、650V，RDS(ON)（最大值1.38Ω）@VGS = 10V
- 低Crss（典型值15pF）
- 快速开关能力
- 100%雪崩测试
- 隔离电压（VISo = 4000 VAC）
- 最大结温范围（150°C）