1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
- 1+: ¥4.47 / 个
- 10+: ¥3.99 / 个
- 30+: ¥3.75 / 个
- 100+: ¥3.51 / 个
1+: |
¥4.47 / 个 |
10+: |
¥3.99 / 个 |
30+: |
¥3.75 / 个 |
100+: |
¥3.51 / 个 |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 11A | |
功率(Pd) | 83W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 320mΩ@10V,5.5A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 20.5nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 890pF@100V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 2pF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |