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TPD70R950C
N沟道,电流:6A,耐压:700V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD70R950C
- 商品编号
- C2686303
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.492克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 24pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 5.6 Ω（典型值）
- 高正向传输导纳：|Y_fs| = 2.0 S（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）（VDS = 720 V）
- 增强型：V_th = 2.0 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 1 mA）