TPD70R950C
N沟道,电流:6A,耐压:700V
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描述
高压超结MOSFET
- 品牌名称无锡紫光微
商品型号
TPD70R950C商品编号
C2686303商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.492克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | - | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
连续漏极电流(Id) | 6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V,1.5A | |
功率(Pd) | 25W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 12nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 475pF | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 3pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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