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TPW80R300C
800V,电流:15A,耐压:850V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPW80R300C
- 商品编号
- C2686308
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 850V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST2300是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门设计用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理以及其他电池供电电路，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
商品特性
- 20V/6.0A，RDS(ON) = 22 mΩ（典型值）
- @VGS = 10V
- 20V/5.0A，RDS(ON) = 36 mΩ @VGS = 4.5V
- 20V/4.5A，RDS(ON) = 45 mΩ @VGS = 2.5V
- 20V/4.0A，RDS(ON) = 60 mΩ @VGS = 1.8V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23 - 3L封装设计
应用领域
- 手机
- 笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路
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