TPA65R750C
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA65R750C
- 商品编号
- C2686300
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 475pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST1005SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场景。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 100V / -0.8A，RDS(ON) = 650 mΩ（典型值）@VGS = -10V
- 60V / -0.4A，RDS(ON) = 700 mΩ @VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT - 23封装设计
应用领域
- 手机和笔记本电脑电源管理
- 其他电池供电电路