TPD70R450C
超结MOSFET,电流:6.8A,耐压:700V
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPD70R450C
- 商品编号
- C2686302
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 490mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
ST3400SRG是一款采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如手机和笔记本电脑的电源管理,以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 极低的品质因数 RDS(on) × Qg
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
