温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPA65R160C
650V,电流:20A,耐压:700V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA65R160C
- 商品编号
- C2686298
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 3.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.328nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STP6625是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理及其采用电池供电的高端开关电路。
商品特性
- 60V/-5.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 60 mΩ（典型值）@VGS = -10V
- 60V/-3.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 85 mΩ @VGS = -4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOP-8封装设计