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TPA70R190C
耐压:700V 电流:20A
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- 描述
- 高压超结MOSFET
- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 商品型号
- TPA70R190C
- 商品编号
- C2686299
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 3.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.328nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 116pF |
商品概述
ST1002 是一款 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 100V/3.0A，VGS = 10V 时，RDS(ON) = 135 mΩ
- 100V/2.5A，VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 140 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流
- SOT - 23 - 3L 封装设计
应用领域
- 手机
- 笔记本电脑电源管理
- 其他需要高端开关的电池供电电路