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2SK3566(Q,M)
1个N沟道 耐压:900V 电流:2.5A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- 2SK3566(Q,M)
- 商品编号
- C2681996
- 商品封装
- SC-67
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
60P03采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.6 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 2.0 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 100 \mu A(最大值)(VDS = 720 V)
- 增强型模式:V\textth = 2.0 至 4.0 V(V\textDS = 10 V,I\textD = 1 mA)
应用领域
-电池开关-负载开关-电源管理