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LMG5200MOFR
GaN半桥功率级
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- 描述
- LMG5200 80V GaN 半桥功率级
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LMG5200MOFR
- 商品编号
- C2680255
- 商品封装
- QFM-9(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.56625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 工作电压 | 4.75V~5.25V | |
| 传播延迟 tpLH | 29.5ns | |
| 传播延迟 tpHL | 29.5ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.87V~2.22V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.48V~1.76V | |
| 静态电流(Iq) | 80uA |
商品概述
LMG5200器件集成了80V、10A驱动器和GaN半桥功率级，采用增强模式氮化镓(GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个80V GaNFET，它们由采用半桥配置的同一高频GaN FET驱动器提供驱动。
GaN FET在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容CISS也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200器件采用6mm×8mm×2mm无铅封装，可轻松安装在PCB上。
该器件的输入与TTL逻辑兼容，无论VCC电压如何，都能够承受高达12V的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式GaN FET的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式GaN FET的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与TPS53632G控制器搭配使用时，LMG5200能够直接将48V电压转换为负载点电压(0.5 - 1.5V)。
商品特性
- 集成15mΩ GaN FET和驱动器
- 80V连续电压，100V脉冲电压额定值
- 封装经过优化，可实现简单的PCB布局，无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
- 超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
- 栅极驱动器支持高达10MHz的开关频率
- 内部自举电源电压钳位可防止GaN FET过驱
- 电源轨欠压锁定保护
- 优异的传播延迟（典型值为29.5ns）和匹配（典型值为2ns）
- 低功耗
应用领域
- 宽VIN数兆赫兹同步降压转换器
- D类音频放大器
- 适用于电信、工业和企业计算的48V负载点(POL)转换器
- 高功率密度单相和三相电机驱动