TPS51216MRUKREP

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 0 μF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。

TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。

它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP/UVP/UVLO 以及热关断保护。TPS51216-EP 采用 20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装，额定结温为 -55°C 至 125°C。

• 同步降压控制器 (VDDQ)
• 转换电压范围：3 至 28 V
• 输出电压范围：0.7 至 1.8 V，0.8% VREF 精度
• D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
• 可选 300kHz/400kHz 开关频率
• 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
• 支持 S4/S5 状态下的软关闭
• OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
• 电源正常输出
• 2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF)
• 2A（峰值）灌电流和拉电流
• 只需 0 μF 陶瓷输出电容
• 经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
• 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
• 在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
• 热关断
• 20 引脚 3mm×3mm WQFN 封装
• 受控基线
• 一个组装/测试基地
• 一个制造基地
• 支持 -55°C 至 125°C 温度范围
• 延长了产品生命周期
• 延长了产品变更通知
• 产品可追溯性

• DDR2/DDR3/DDR3L 存储器电源
• SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135 和 HSTL 终端