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TPS53627RSMR实物图
  • TPS53627RSMR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TPS53627RSMR

TPS53627RSMR

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描述
TPS53627 适用于 Intel VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的两相 D-CAP+™ 降压控制器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPS53627RSMR
商品编号
C2659181
商品封装
VQFN-32-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

TPS53627 器件是兼容VR13 SVID的无驱动器同步降压控制器。高级控制特性(例如具有重叠脉冲的D-CAP+™架构)支持下冲衰减(USR) 和过冲衰减(OSR),可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。该器件还支持在CCM和DCM运行情况下进行单相运行,从而提高轻负载情况下的效率。该器件集成了一整套VR13 I/O特性,包括VR_READY(PGOOD)、ALERT和VR_HOT。SVID接口地址允许在00h到07h的时间范围内进行编程。输出电压转换率的可调节控制可编程为高达20mV/uS。 与TI NexFET™功率级配合使用时,该总体解决方案可提供超高速度和低开关损耗。 TPS53627 器件采用节省空间的热增强型32引脚VQFN封装,可在 -40°C到 +105°C温度下运行。

商品特性

  • 兼容Intel VR13串行VID (SVID)单相或两相运行
  • 支持压降和非压降应用
  • 8位DAC,具有10mV的步长
  • 4.5V至28V转换电压范围
  • 输出电压范围:0.5V到2.3V
  • 轻重负载情况下效率均得到优化
  • 8级独立的过冲衰减(OSR)和下冲衰减(USR)
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 支持分立式、电源块、功率级™或DrMOS MOSFET实施
  • 精确可调电压定位
  • 300kHz至1MHz的频率选择
  • 已获专利AutoBalance™相位均衡
  • 适用于负载瞬态升压的可编程ON - Pulse扩展
  • 可编程自动DCM和CCM运行
  • 可选8级电流限制
  • 小型32引脚4mm × 4mm VQFN封装
  • PowerPad™封装

应用领域

  • 适用于DDR内存的VDDQ
  • SoC处理器VCORE电源

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

总价金额:

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