TPS53625RSMT

TPS53625 器件是一款无驱动器、完全符合 SVID 标准的 VR12.0 降压控制器。高级控制特性（例如 D-CAP+架构）借助重叠脉冲支持下冲衰减 (USR) 和过冲衰减(OSR)，可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。TPS53625 器件还支持在 CCM 或 DCM 运行情况下进行单相运行，从而提高轻负载情况下的效率。 TPS53625 器件集成了完整的 VR12.0 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 0 到 7 的时间范围内进行编程。VOUT 压摆率和电压定位的可调节控制完善了 VR12.0 功能。 与 TPS51604 FET 栅极驱动器配合使用时，该解决方案可提供超高速度和低开关损耗。TPS53625 器件与选定的 TI 功率级产品以及 DrMOS 产品一起使用，可实现出色效率。TPS53625 器件以 1V 的默认启动电压运行。通过在设计中添加一个外部电阻分压器，应用可以覆盖默认启动电压。 TPS53625 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，可在 –40°C 到 105°C 温度下运行。

• 符合 VR12.0 串行 VID (SVID) 标准
• 单相或两相运行
• 支持零负载和非零负载线路应用
• 8 位 DAC 输出范围：0.25 V 至 1.52 V
• 优化了轻负载和重负载条件下的效率
• 8 级独立的过冲衰减 (OSR) 和下冲衰减 (USR)
• 无驱动器配置，有助于实现高效的高频开关
• 支持分立式、电源块、功率级或 DrMOS MOSFET 实施
• 精确可调电压定位
• 300kHz 至 1MHz 的频率选择
• 获得专利的 AutoBalance 相位平衡
• 可选 8 级电流限制
• 4.5V 至 28V 转换电压范围
• 小型 4mm×4mm 32 引脚 VQFN PowerPAD 集成电路封装

• 内核存储器