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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DPA02257RGBR

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描述
TPS53317 适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
DPA02257RGBR
商品编号
C2659097
商品封装
VQFN-20-EP(3.5x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

TPS53317 器件是一款设计为主要用于DDR 终端的集成场效应晶体管(FET) 同步降压稳压器。它能够提供一个值为 1/2 VDDQ 的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。该器件还可用于其他电流要求高达6A 的负载点(POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的6A 完整灌电流输出。

该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定(UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和SP/POSCAP 电容。该器件支持的输入电压最高可达6V,而输出电压在0.6V 至 2.0V 范围内可调。

TPS53317 器件采用 3.5mm×4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线(VQFN) 封装(绿色环保,符合RoHS 标准并且无铅),其额定运行温度范围为 -40°C 至 85°C。

商品特性

  • 采用专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和封装技术
  • 支持DDR 内存终止,具有高达6A 的持续输出源电流或者吸收电流
  • 外部跟踪
  • 最少的外部组件数
  • 1V 至6V 转换电压
  • D-CAP+ 模式架构
  • 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和SP/POSCAP
  • 可选跳跃(SKIP) 模式或者强制CCM
  • 轻量级负载与重负载下的优化效率
  • 可选600kHz 或者1MHz 开关频率
  • 可选过流限制(OCL)
  • 过压、过热和断续欠压保护
  • 可调输出电压范围为0.6V 至2V
  • 3.5mm×4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线(VQFN) 封装

应用领域

  • 用于DDR、DDR2、DDR3 和DDR4 的存储器终端稳压器
  • VTT 终止
  • 用于1V 至6V 输入电源轨的低电压应用

交货周期

订货41-43个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 3000 个)
起订量:3000 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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