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HAZ1123-04F

单向ESD 3.3V截止峰值浪涌电流：4A

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描述: 这款Uni单向保护器件，创新集成四通道结构，每通道3.3V的VRWM精准守护，为电路安全筑起坚强防线。4A峰值电流处理(IPP)能力，轻松应对瞬时电流挑战，确保系统稳定。加之0.6pF的低典型电容值(CJ)，完美适配高速信号传输需求，信号纯净无损，是现代精密电子设备保护方案的优选。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAZ1123-04F
商品编号: C25503734
商品封装: DFN2510-10L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0225克(g)

商品参数

商品概述

HAZ1123 - 04F 是一款 4 通道超低电容轨钳位 ESD 保护二极管阵列。每个通道由一对二极管组成，可将正或负 ESD 电流导向正或负轨。在正负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。在典型应用中，负轨引脚（指定为 GND）与系统地相连。正 ESD 电流通过 ESD 二极管和齐纳二极管导向地，正 ESD 电压被钳位到齐纳电压。封装形式为 DFN2510 - 10L。

商品特性

4 通道 ESD 保护
提供符合 IEC61000 - 4 - 2 4 级的 ESD 保护
±15kV 空气放电
±10kV 接触放电
通道 I/O 到地电容：最大 0.55pF
通道 I/O 到 I/O 电容：最大 0.6pF
低钳位电压
低工作电压
改进的齐纳结构
优化封装，便于高速数据线 PCB 布局
符合 RoHS 标准且无卤

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	单向
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	20V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4A
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	四路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.4pF；0.6pF