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STT5N2VH5
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、5 A STripFET(TM) V功率MOSFET，SOT23-6L封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STT5N2VH5
- 商品编号
- C283506
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 367pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 92pF |
商品概述
该器件是一款采用意法半导体（STMicroelectronics）的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现极低的导通电阻，其品质因数（FOM）在同类产品中处于领先水平。
商品特性
- 超薄封装
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
- 2.5 V栅极驱动
- 极低阈值器件
应用领域
-开关应用