STT5N2VH5
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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描述
N沟道20 V、0.025 Ohm典型值、5 A STripFET(TM) V功率MOSFET,SOT23-6L封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STT5N2VH5商品编号
C283506商品封装
SOT-23-6L包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 1.6W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 367pF@16V | |
反向传输电容(Crss) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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