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NTD4809NT4G
N沟道 MOSFET,电流:58A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD4809NT4G
- 商品编号
- C274618
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@11.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.456nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以减少传导损耗
- 低电容，以减少驱动损耗
- 优化栅极电荷，以减少开关损耗
- AEC Q101认证 - NVD4809N
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- CPU电源供应-DC-DC转换器-低端开关