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NDT451AN
N沟道 耐压:30V 电流:7.2A
- 描述
- 功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT451AN
- 商品编号
- C274613
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.323克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 3W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,7.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |