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STB60NF06T4
N沟道,电流:60A,耐压:60V
- 描述
- N沟道60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB60NF06T4
- 商品编号
- C262928
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.81nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为电信和计算机应用中先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 面向应用的特性表征
应用领域
- 开关应用