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NDT456P
1个P沟道 耐压:30V 电流:7.5A
- 描述
- 功率 SOT P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。此类器件非常适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDT456P
- 商品编号
- C24083
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 355pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 905pF |
商品特性
- RDS(ON) = 0.045 Ω(VGS = -4.5 V时)
- -7.5 A,-30 V。RDS(ON) = 0.030 Ω(VGS = -10 V时)
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和高电流处理能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-电池供电电路-直流电机控制