温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDN358P
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN358P
- 商品编号
- C24848
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品特性
- 超低栅极阻抗
- 栅源电压 (VGS) 为 4.5 V 时具有极低的漏源导通电阻 (RDS(on))
- 雪崩电压和电流特性完全表征
应用领域
- 用于电信和工业领域、带同步整流的高频 DC-DC 隔离式转换器
- 用于计算机处理器电源的高频降压转换器