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FDN358P
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.5A
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- 描述
- 此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN358P
- 商品编号
- C24848
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品特性
- RDS(ON) = 200 mΩ(VGS = - 4.5 V时)
-
- 1.5 A,- 30 V。RDS(ON) = 125 mΩ(VGS = - 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值为4 nC)
- 高性能沟槽技术,可实现极低的RDS(ON)。
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本。引脚排列与SOT - 23相同,但功率处理能力提高30%。
- SuperSOT - 3
应用领域
- 便携式电子应用:负载开关和电源管理
- 电池充电电路
- DC/DC转换