FDN338P
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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描述
此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
FDN338P商品编号
C24855商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 115mΩ@4.5V,1.6A | |
功率(Pd) | 500mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 6.2nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 451pF@10V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 33pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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