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FDN338P
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.6A
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- 描述
- 此 P 沟道 2.5V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN338P
- 商品编号
- C24855
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 155mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 451pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
这款 2.5V 指定的 P 沟道 MOSFET 采用先进的低压 PowerTrench 工艺。它针对电池电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -1.6 A，-20 V。在 VGS = -4.5 V 时，RDS(ON) = 115 mΩ
- 在 VGS = -2.5 V 时，RDS(ON) = 155 mΩ
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的 RDS(ON)
- SuperSOT-3 在相同封装尺寸下，提供低 RDS(ON)，且功率处理能力比 SOT23 高 30%
应用领域
- 电池管理-负载开关-电池保护
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