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IRLML6302TRPBF
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.78A
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- 描述
- P沟道,-20V,-0.78A,600mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML6302TRPBF
- 商品编号
- C24097
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 780mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 97pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用。 标准SOT - 23封装中采用了定制引线框架，以生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装，非常适合印刷电路板空间宝贵的应用。Micro3的低外形（<1.1mm）使其能够轻松适配超薄应用环境，如便携式电子设备和PCMCIA卡。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形（<1.1mm）
- 快速开关
- 无铅
应用领域
- 便携式电子设备
- PCMCIA卡