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IRF7240TRPBF

1个P沟道耐压:40V 电流:10.5A

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描述: P沟道,-40V,-10.5A,15mΩ@-10V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRF7240TRPBF
商品编号: C27159
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.286克(g)

商品参数

商品概述

这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，实现了极低的单位硅面积导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 SO - 8封装通过定制引线框架进行了改进，具有增强的热特性和多芯片封装能力，使其非常适合各种电源应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。

商品特性

超低导通电阻
表面贴装
提供卷带包装
无铅

应用领域

电池管理应用
负载管理应用
电源应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	10.5A
	导通电阻(RDS(on))	25mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	2.5W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	9.25nF
	反向传输电容(Crss)	520pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道