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IRF7103TRPBF
2个N沟道 耐压:50V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7103TRPBF
- 商品编号
- C27080
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SO-8封装通过定制引线框架进行了改进，具备增强的热特性和双芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的PCB安装应用中，功率耗散可超过0.8W。
商品特性
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关
- 无铅
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