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IRFR5505TRPBF

1个P沟道耐压:55V 电流:18A

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描述: P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRFR5505TRPBF
商品编号: C26340
商品封装: TO-252
包装方式: 编带
商品毛重: 0.733333克(g)

商品参数

商品概述

国际整流器公司(International Rectifier)的第五代HEXFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

超低导通电阻
P沟道
表面贴装(IRFR5505)
直引脚(IRFU5505)
先进的工艺技术
快速开关
全雪崩额定

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	55V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	110mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	57W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	32nC@10V
	输入电容(Ciss)	650pF
	反向传输电容(Crss)	120pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	270pF