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CMT6080G
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- 60V TO263封装MOSFET
- 品牌名称
- iCM(创芯微)
- 商品型号
- CMT6080G
- 商品编号
- C22446511
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.502857克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.754nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 232pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 327pF |
商品特性
- 沟槽低压MOSFET技术
- 快速开关
- 增强的dv/dt能力
应用领域
- 功率开关应用
- 不间断电源(UPS)
- 电池管理