温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMZA75R040M1HXKSA1
基于碳化硅技术的汽车用750V MOSFET，性能、可靠性与易用性兼具，适用于高温和恶劣环境
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZA75R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C22441825
- 商品封装
- PG-TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 185W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 20V |
商品概述
750V CoolSiC基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料的特性，750V CoolSiC MOSFET在性能、可靠性和易用性方面实现了独特的结合。它适用于高温和恶劣的工作环境，能够以简单且经济高效的方式实现最高的系统效率。
商品特性
- 高度稳健的750V技术，经过100%雪崩测试
- 同类最佳的RDS(on) × Qfi
- 出色的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG
- 低CISS/CISS和高VGS(th)的独特组合
- 英飞凌专有芯片连接技术
- 驱动源引脚可用
应用领域
单双向车载充电器和高压-低压DC-DC转换器：
- 硬开关半桥
- 软开关拓扑