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AIMZH120R010M1TXKSA1
1200V SiC Trench MOSFET
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at Tvj = -55...175℃。 IDDC = 202 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 8.7 mΩ at VGS = 20 V, Tvj = 25℃。应用：车载充电器
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZH120R010M1TXKSA1
- 商品编号
- C22441826
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 202A | |
| 耗散功率(Pd) | 750W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.703nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ |
商品特性
- 漏源击穿电压 V_DSS = 1200 V，结温 T_vj = -55...175°C
- 连续漏极电流 I_DDC = 202 A，壳温 T_C = 25°C
- 导通电阻 R_DS(on) = 8.7 mΩ，栅源电压 V_GS = 20 V，结温 T_vj = 25°C
- 采用性能优化的新型芯片技术，具备改进的R_DSon* × A品质因数
- 提高推荐的导通栅极电压至20 V，以实现更低的导通电阻
- 业界领先的开关能量，可降低开关损耗并减少散热需求
- 极低的器件电容，支持更高的开关速度和功率密度
- 低C_rss/C_iss比值与高栅极阈值电压相结合，可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 降低的总栅极电荷，有助于减少驱动功率和损耗
- 采用.XT芯片贴装技术，实现卓越的散热性能
- 配备检测引脚，用于优化开关性能
- 适用于高电压爬电距离要求
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动