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IPB068N20NM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，200 V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB068N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22443510
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.58克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 134A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
WSD30L65DN33 是一款高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷。 WSD30L65DN33 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有 EAS 能力，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 用于移动电脑、笔记本电脑、超便携电脑、显卡的高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关