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ISC130N20NM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，200 V
- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 175°C工作温度。 无铅镀铅；符合PolHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准，MSL 1分级。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC130N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22443546
- 商品封装
- TSON-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@135uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的反向恢复电荷（Qrr）
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL 1级
- 100%经过雪崩测试