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IQE004NE1LM7SCATMA1

N沟道 15V 379A

描述
特性:N沟道,逻辑电平。 极低的导通电阻Ros(on)。 出色的热阻,100%雪崩测试。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流
商品型号
IQE004NE1LM7SCATMA1
商品编号
C22443523
商品封装
WHSON-8(3.3x3.3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.164克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)15V
连续漏极电流(Id)379A
导通电阻(RDS(on))0.57mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)89W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)55nC@7V
输入电容(Ciss)6.24nF
反向传输电容(Crss)455pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.38nF

商品概述

WSD3072DN33采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。 WSD3072DN33符合RoHS和绿色产品要求,100%经过EAS测试,具备完整的功能可靠性认证。

商品特性

  • N沟道、逻辑电平
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的热阻性能
  • 100%雪崩测试
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 符合IEC61249-2-21的无卤要求
  • 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,如同步整流

应用领域

  • 电池保护-负载开关-不间断电源

数据手册PDF