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IPF021N13NM6ATMA1
N沟道、低导通电阻、低反向恢复电荷的功率MOSFET，适用于电机驱动和电池供电应用
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF021N13NM6ATMA1
- 商品编号
- C22443514
- 商品封装
- TO263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道，标准电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低反向恢复电荷（Qrr）
- 100%雪崩测试
- 工作温度175°C
- 针对电机驱动和电池供电应用进行优化
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 根据IEC 61249 - 2 - 21标准无卤
- 根据J - STD - 020标准分类为MSL - 1级