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IPT60T022S7XTMA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT60T022S7XTMA1
商品编号: C22443522
商品封装: PG-HSOF-8-2
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	20mΩ@12V
	耗散功率(Pd)	390W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	150nC

商品概述

IPT60T022S7为低频开关应用提供了最佳的性价比。CoolMOS S7作为高压超结MOSFET,拥有最低的导通电阻(Rdson)值,显著提高了能源效率。内置的温度传感器提高了结温感应的准确性和可靠性,同时实现了简单无缝的应用。CoolMOS S7针对“静态开关”和大电流应用进行了优化。它非常适合用于固态继电器、断路器设计,以及开关电源(SMPS)和逆变器拓扑中的线路整流。新的温度传感器增强了S7的特性,使功率晶体管能够得到最佳利用。

商品特性

CoolMOS S7技术在最小的封装尺寸下实现了最低的导通电阻(RDS(on))
低频开关应用中具有优化的性价比
高脉冲电流能力
最低系统成本下的无缝诊断
具备温度感应功能,用于保护和优化热器件利用率

应用领域

固态继电器和断路器
高功率/高性能应用中的线路整流,如计算机、电信、不间断电源(UPS)和太阳能领域

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	5.64nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	89pF
	栅极电压(Vgs)	±20V