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HAQHV24-01ETG-C

双向ESD 24V截止

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描述: 此款双向ESD保护二极管专为单通道配置，耐压高至24V，能承受5A瞬时电流冲击，为电子设备提供稳固的静电防护屏障。10pF电容值小，减少对信号传输影响，确保高速数据线路的畅通无阻，是精密电路和通讯技术中防静电干扰的优选器件，保障设备运行稳定与安全。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HAQHV24-01ETG-C
商品编号: C22440366
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0066克(g)

商品参数

商品概述

HAQHV24 - 01ETG - C可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路的灵活性。封装形式为DFN1006 - 2L。

商品特性

高速数据线的瞬态保护
IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±15kV（接触）
±20kV（空气）
IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50 ns）
峰值功率耗散：300W（8/20μs）
工作电压：24V
超小封装（1.0mm×0.6mm×0.5mm）
保护一条I/O线路
低钳位电压
低泄漏电流

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	24V
	钳位电压	60V
	峰值脉冲电流(Ipp)	-
	峰值脉冲功率(Ppp)	300W@8/20us
	击穿电压(VBR)	25V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	100nA
	通道数	单路
	工作温度	-55℃~+150℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF