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HESD5581N2T5G

双向ESD 5V截止峰值浪涌电流：5.5A

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描述: 这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计，耐压5V，瞬时电流承受能力达5.5A，确保电路免受静电破坏。其10pF的低电容特性保持信号纯净，特别适合于保护便携设备和高灵敏度电路，有效提升系统防静电水平及数据传输质量。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: HESD5581N2T5G
商品编号: C22440363
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.007833克(g)

商品参数

商品概述

HESD5581N2T5G可保护敏感半导体元件，使其免受静电放电（ESD）和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。出色的钳位能力、低泄漏、低电容和快速响应时间，为暴露于ESD的设计提供了同类最佳的保护。它为设计师提供了灵活性，可在不适合使用阵列的应用中保护一条双向线路。封装形式为DFN1006 - 2L（SOD - 882）。

商品特性

低泄漏
响应时间通常小于1 ns
人体模型3级ESD评级
IEC61000 - 4 - 2 4级ESD保护
这些是无铅器件
我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	5.5A
	峰值脉冲功率(Ppp)	66W@8/20us
	击穿电压(VBR)	5.6V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	300nA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2
	类型	ESD
	Cj-结电容	10pF